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SI2306BDS-T1-E3中文资料

SI2306BDS-T1-E3图片

SI2306BDS-T1-E3外观图

  • 大小:108.4KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:3.16A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 数据列表:SI2306BDS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:47 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:305pF @ 15V
  • 功率 - 最大:750mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2306BDS-T1-E3TR

SI2306BDS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-04 20:33:56
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SI2306BDS-T1-E3

    SI2306BDS-T1-E3
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 7

  • VISHAY

  • SOT23/2023+

  • 一定原装房间现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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